专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
公司于2009年1月7日成立以来，经过3年的筹建、研发、调试，到后来规范化一系列准备工作后，于2012年正式申请ISO 9001：2008认证，并于2012年12月顺利通过审查，成功获得了ISO 9001：2008认证。
2012 ECSCRM在俄罗斯圣彼得堡于9月2日至9月6日举行, 来自26个国家超过500位参会人员参加了这次会议。 该会议主要是讨论关于碳化硅(SiC)和其他相关材料国际上的最新进展，内容包括晶体及
2012年8月14日下午，市委书记、市人大常委会主任徐建华的陪同下，中国工程院院长周济与中国工程院原副院长邬贺铨率有关院士、专家一行28人考察我公司。
2011年6月，第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队。团队带头人王占国，中国科学院院士，半导体材料及材料物理学家。核心成员由6名研究院组成。研究方向为第三代宽禁带
2010年5月，“中科院半导体所开云网页版-开云(中国)官方碳化硅技术研究院”，由广东省东莞市开云网页版-开云(中国)官方半导体科技有限公司和中国科学院半导体研究所联合组建。中科院半导体所是我院首批进入知识创新工程单位之一
