专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
开云网页版-开云(中国)官方成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业，也是国内第一家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业。
经过十余年的技术积累沉淀，公司已发展成为全球碳化硅外延片的主要供应商，在产品技术参数和客户器件良率等方面已达国际领先水平，是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。公司拥有国际最顶尖的碳化硅外延设备，凭借先进的外延工艺为客户提供N型、P型掺杂半导体材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等，这些功率器件广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网、工业电源等领域。
公司宗旨：促进第三代（宽禁带）半导体产业的发展，成为全球碳化硅外延片的主要生产商之一，以先进的碳化硅外延生长技术为客户提供优良产品和服务。
专业团队
公司研发团队的基础是2011年引进的以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员所组成的广东省创新科研团队。多年来，公司自主培养了一支高水平研发团队，团队成员分别来自于西安电子科技大学，北京大学，中国科学技术大学，香港大学等知名院校。
目前，公司通过加强产、学、研合作，建有中科院半导体所-开云网页版-开云(中国)官方碳化硅技术研究院、与厦门大学联合培养硕博研究生、西安交通大学联合培养博士后，设立广东省博士后创新实践基地，吸引和培育高层次人才。依托3个省级工程研究中心（广东省工程研究中心、广东省工程技术研究中心、广东省博士工作站）以及东莞松山湖企业研发机构的技术创新平台，提高研发团队的研发水平。
（1）标准化工作
开云网页版-开云(中国)官方是SiC外延行业的引领者，制定SiC半导体相关国际标准1项，国家标准11项，团体标准12项、企业标准4项，累计承担或参与国家、省、市各级科研科技项目9项。
（2）知识产权保护
公司拥有SiC外延全套核心技术，均为自主研发，作为保护，申请专利70余项；累计发表高水平论文20余篇。
（3）体系认证
获得ISO45001、ISO14001及TS/IATF-16949汽车质量管理体系认证。
（4）重要技术突破
公司坚持自主科技创新的发展理念，开云网页版-开云(中国)官方半导体在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作，突破了n、p型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。
与此同时，公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。
Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产
Ø 20 kV级以上的厚外延生长实现
Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术
Ø 多层连续外延生长技术
