2011

2011年6月，第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队获批。

团队带头人王占国，中国科学院院士，半导体材料及材料物理学家。核心成员由6名研究院组成。研究方向为第三代宽禁带碳化硅（SiC）半导体外延材料及器件产业化，包括SiC外料材料产业化、器件材料生长技术、外延设备研制、外延材料检测与标准化以及器件工艺技术等5个项目。曾申请相关专利23项，授权专利15项，拥有SiC外延等核心技术9项，发表SCI和EI论文40余篇。